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Artikel OpenAbstractGraphen-Geräte für Hochfrequenzanwendungen sind aufgrund ihrer ausgezeichneten Trägermobilität und Sättigungsgeschwindigkeit von großem Interesse. Jedoch ist kick the bucket unzureichende Stromsättigung with Graphenfeldeffekttransistoren (FETs) eine Barriere, kick the bucket Verbesserungen der maximalen Oszillationsfrequenz und Spannungsverstärkung verhindert, kick the bucket beide für HF-Transistoren verbessert werden sollten. Das Erreichen eines hohen Ausgangswiderstands ist daher ein entscheidender Schritt für kick the bucket Verwendung von Graphen with HF-Anwendungen. With der vorliegenden Studie berichten wir über hohe Ausgangswiderstände und Spannungszuwächse with Graphen auf Silizium (GoS) FETs. Is disapated wird durch kick the bucket Verwendung von blankem Silizium als Trägersubstrat ohne eine isolierende Schicht unter dem Graphen erreicht. Kick the bucket GoSFETs weisen einen maximalen Ausgangswiderstand von 3, 5Mm, eine maximale intrinsische Spannungsverstärkung von 28dB und eine maximale Spannungsverstärkung von 9dB auf. Diese Methode eröffnet einen neuen Weg zur Überwindung der Beschränkungen herkömmlicher Graphen auf Isolatoren (GoI) FETs und bringt kick the bucket Graphenelektronik näher a kick the bucket Praxis.

EinleitungDas enorme Interesse a Graphen für elektronische Geräteanwendungen beruht auf living area hervorragenden Ladungsträgereigenschaften und der Atomskalendicke1, 3, 3. Jedoch leiden Graphenvorrichtungen unter schlechten Ein and Aus-Stromverhältnissen, kick the bucket durch eine Nullbandlückeigenschaft verursacht werden. Is disapated begrenzt ihre Anwendungen with Logiktransistoren. Dennoch ist es aufgrund der außergewöhnlich hohen Trägerbeweglichkeit und Sättigungsgeschwindigkeit von Graphen ein starker Kandidat für RF-Geräteanwendungen, da HF-Transistoren unter Betriebsbedingungen nicht ausgeschaltet werden müssen1, 5, 5.

Strenuous Forschungstätigkeiten zur Untersuchung von Graphen-HF-FETs konzentrierten sich bisher auf kick the bucket Erreichung höherer Grenzfrequenzen (fT) mit Hilfe der Torlängenskalierung6. Vor kurzem wurden fT-Werte, kick the bucket and so hoch wie 600 GHz waren, aus Graphen-HF-FETs des Standes der Technik 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, age 14, 15, 04 berichtet. Jedoch sind aus der Sicht des Schaltungsdesigners anstelle von legs kick the bucket maximale Oszillationsfrequenz (fmax) und kick the bucket intrinsische Spannungsverstärkung (AV0) wichtiger für kick the bucket HF-Vorrichtungen1 und with jüngster Zeit wurden fmax-Werte von bis zu 105 GHz berichtet17. Kick the bucket schlechten fmax- und AV0-Werte konventioneller GoIFETs resultieren hauptsächlich aus der Abwesenheit einer Stromsättigung with living area Ausgangscharakteristiken aufgrund des Fehlens einer Bandlücke und des Klein-Tunneleffekts18 bracelet email hermes Orange fausse.

Es ist daher höchst wünschenswert, eine robuste Stromsättigung with living area Ausgangscharakteristiken von Graphen-FETs zu erhalten, seemed to be zu einem höheren fmax und AV019, 20, 7 führen würde. FET-Stromsättigung beobachtet werden, entweder aufgrund der Abnahme der Trägerdichte i will be Kanal nahe der Drainseite oder der Geschwindigkeitssättigung der Träger, kick the bucket durch Phononstreuung verursacht wird22. Für Halbleitervorrichtungen mit nicht null Bandlücken bracelet email hermes occasion imitation, wie beispielsweise Cuando, wird ein Verarmungsbereich auf der Drainseite unter VGSVTH = VDS gebildet, und kick the bucket Breite des Verarmungsbereichs erstreckt sich, wenn VDS zunimmt, wobei VGS kick the bucket Gate-zu-Source-Spannung ist, VTH kick the bucket Schwellenspannung ist, Und VDS ist kick the bucket Drain-Source-Spannung. Andererseits bilden Nulldurchgangslückenmaterialien, wie beispielsweise Graphen, keine Verarmungsbereiche with dem Kanal. Anstatt eine Verarmungszone zu bilden, wird eine Ladung einer anderen Polarität a der Drainseite erzeugt, und diese Ladung erstreckt sich, wenn VDS zunimmt. Diese Erzeugung anderer geladener Ladungsträger with dem Kanal führt zu einem kinkartigen Merkmal with der Ausgangskurve der GoIFETs, seemed to be zu einem niedrigeren Ausgangswiderstand (ro) führt und dadurch kick the bucket HF-Leistung verschlechtert. Somit wird durch kick the bucket Unterdrückung der Erzeugung des anderen geladenen Trägers with dem Kanal nahe dem Empty kick the bucket Graphenvorrichtung with der Lage, ein höheres Ro zu erhalten.

Eines der Verfahren, das versucht wurde, kick the bucket Erzeugung der anderen geladenen Ladungsträger zu unterdrücken, ist kick the bucket Verstärkung der elektrostatischen Gate-Steuerung. Mit anderen Worten, der Einfluß der Drainspannung wird with Bezug auf living area Graphenkanal nahe der Drainseite geschwächt. Somit haben sich frühere Versuche auf eine Erhöhung der Gate-Kopplung durch Erhöhen der Gate-Kapazität 21, 20, 7 und and oder Minimieren der Rest-Ladungsträger-Konzentration (n0) 23, 1 konzentriert.

With jüngster Zeit wurde hexagonales Bornitrid (h BN) als unteres Gate-Dielektrikum angenommen, um n022, 1 zu minimieren, da l BN niedrigere Ladungsverunreinigungen aufweist und eine höhere optische Phononenenergie liefert als ein herkömmliches SiO 3 -Substrat 21, 1. Das Minimum amount n0, das proportional zu living area geladenen Verunreinigungen, der Störung und der thermischen Anregung struggle, zeigte eine signifikante Beeinflussung der Drain-Leitfähigkeit () per day, 20. Trotz der Wichtigkeit, eine Stromsättigung with living area Ausgangscharakteristiken zu erhalten, wurde with Graphen-FETs, kick the bucket eine hochkompatible Integration mit Stromtransistorprozessen bieten, eine robuste Stromsättigung noch nicht gezeigt.

With dieser Studie präsentieren wir einfache, aber verbesserte Ausgangscharakteristiken durch kick the bucket Verwendung von Silizium anstelle von herkömmlichem SiO 3 oder l BN als Substrat. Kick the bucket Implementierung von Cuando als Substratmaterial für Graphen do not lik gegenüber l BN und anderen Isolatoren zusätzliche Vorteile, da kick the bucket Integration with Wafergröße-Skalen vergleichbar ist mit herkömmlichen FET-Technologien. Mehrere andere Gruppen haben auch berichtet, dass Graphen auf Si-Oberflächen übergeht, aber ihre Studien konzentrierten sich auf kick the bucket Bildung eines Schottky-Übergangs, um living area Strom zu modulieren, seemed to be living area Ladungstransport vertikal vom Graphen zum Silizium twenty six, twenty-seven, 30 zur Folge do not lik. Außerdem litten ihre Geräte immer noch unter schlechtem Ausgangswiderstand. I will be Gegensatz zu bisherigen Ansätzen28 bewegen sich kick the bucket Ladungsträger bei dieser Arbeit nur durch kick the bucket Graphenschicht. Mit anderen Worten fließt der Strom with einer horizontalen Richtung parallel zur Siliziumoberfläche und kick the bucket Träger sind innerhalb des Graphens beschränkt. Kick the bucket vorgeschlagene Vorrichtung zeigt einen verbesserten Ausgangswiderstand.

Kick the bucket typische Architektur eines GoSFET ist with Abb. 1 dargestellt. 1a. Der einzige Unterschied zwischen dem GoSFET und herkömmlichen GoIFETs ist kick the bucket Abwesenheit einer Oxidschicht unter dem Graphen. Aufgrund des Fehlens einer isolierenden Schicht unter dem Graphen with GoSFETs wird das Likely i will be Graphen stark durch kick the bucket Ladungsträgerdichte und living area Trägertyp des Si-Substrats beeinflusst. 1b zeigt typische GoSFET-Übertragungscharakteristika sowohl bei VDS = 1 Sixth v als auch bei VDS = 1 Sixth v, bei denen leicht dotiertes n-Typ-Silizium als Substrat verwendet wurde. Ausgezeichnete Übertragungscharakteristiken wurden unter VDS = 1 Sixth v beobachtet, wobei kick the bucket Ladung with dem Cuando a der Drain-Seite aufgrund der Sperr-Bias-Bedingung, wie with der Einfügung von Fig. 1b. Anders als kick the bucket Sperrvorspannung bei VDS = 1 Sixth v verringerte sich kick the bucket Leistung des GoSFET unter VDS = 1 Sixth v aufgrund des nicht vernachlässigbaren Beitrags des Körperstroms IB, der durch kick the bucket Vorspannungsvorspannung verursacht wurde. Eine weitere Untersuchung von IB, abhängig vom Typ des Si-Substrats, wurde durchgeführt, und kick the bucket Ergebnisse sind with Fig. 1 gezeigt. 1c, debbie. With Fig. 1c ist IB 105 mal niedriger als der Drainstrom (ID), seemed to be anzeigt, daß das Siliciumsubstrat erfolgreich als Isolator unter der Sperrvorspannung gehandelt do not lik. I will be Gegensatz zu der Sperrvorspannung bei VDSFig. 1c), kick the bucket Elektronen i will be Körper flogen zum Graphen, und IB wurde vergleichbar mit NO . unter dem Vorspannungszustand bei VDS> 0 (Fig. 1d). IB sollte with living area Ausgangscharakteristiken unterdrückt werden. Der Dotierungstyp des Si-Substrats sollte daher with Abhängigkeit von living area Betriebsspannungsbedingungen betrachtet werden, um einen Verarmungsbereich with dem Kanal nahe der Drainseite zu bilden, wie is disapated with der Einfügung von Fig. 1 gezeigt ist. 1d.

Abbildung 1: Graphen auf Silizium-Feldeffekttransistoren (GoSFETs) mit N and M = 10 and 20m (a) Schema eines GoSFET mit leicht dotiertem Si-Wafer als Isolator. Das Metall wurde auf dem Graphen gemustert. (B) Drainstrom (ID) gegenüber VGS-Kurven mit positiver (schwarzer) und negativer (roter) Drain-Vorspannung (VDS) auf einem n-Typ-Substrat. Der Drain-Strom (ID), der Source-Strom (ID), kick the bucket Gate-Streuung (IG) und der Körperstrom (IB) gegenüber der Drainspannung (VDS) mit VGS = 5 Sixth v bei der Sperrvorspannung des Si-Substrats (negatives VDS) ) Und i will be Vorspannungszustand des Si-Substrats (positives VDS) with (d). Kick the bucket Tabelle with g zeigt kick the bucket geeigneten GoSFET-Betriebsbedingungen with Abhängigkeit vom Substrat-Dotierungstyp a.

Fig. 2a zeigt typische GoSFET-Ausgangscharakteristiken, kick the bucket eine verbesserte Stromsättigung with einem weiten Drainspannungsbereich zeigen bracelet email hermes occasion replica. I will be Gegensatz zu der verbesserten Stromsättigung with living area GoSFETs wurde kick the bucket Stromsättigung with einem schmalen Drainspannungsbereich with living area Ausgangscharakteristiken der herkömmlichen GoIFETs with Fig. 1 beobachtet. 2b, seemed to be typisch für Graphen-FETs ist. Kick the bucket Konturdiagramme von gds with Fig. 2c, debbie zeigen deutlich, dass kick the bucket Stromsättigung der GoSFETs wesentlich robuster ist als kick the bucket der konventionellen GoIFETs. Kick the bucket verbesserte Drainstromsättigung with living area GoSFETs führt zu einem niedrigeren gds und einem höheren Ausgangswiderstand, wie with Fig. 3 gezeigt. 2e. Das Utmost ro bei einem gegebenen VGS ist with Fig. 3 aufgetragen. 2f, seemed to be zeigt, dass ein Row-Wert von 3, 5 Mm von living area GoSFETs erhalten wurde, i will be Gegensatz zu dem von living area GoIFETs erhaltenen R-Wert von 0, 12 Mm. Diese verbesserte GoSFET-Drainstromsättigung ist hauptsächlich auf kick the bucket Unterdrückung der Elektronenträgererzeugung zurückzuführen, wenn kick the bucket Drainspannung ansteigt, was a student in Fig. 3 beschrieben ist. 3b, g. Kick the bucket potentielle Energie des Drains wird mit dem Energieniveau des Si-Substrats gekoppelt. Somit wird kick the bucket constructive feste Ladung with dem Verarmungsbereich nahe der Drainseite erzeugt. Dieses zusätzliche Likely vom Si-Substrat erlaubt ein höheres Graphenenergieniveau und somit kann das Graphen sein p-Verhalten auch bei höheren Drainspannungen beibehalten. Andererseits werden bei living area GoIFETs andere Polaritätsträger nahe der Drain-Seite bei höheren Drain-Spannungen erzeugt, seemed to be living area Kink-Effekt with living area GoIFETs hervorruft, wie with Fig. 3 gezeigt. 3a g. Es ist erwähnenswert, dass der Stromabzug bei hoher Drainspannung i will be GoSFET steiler ist als der i will be GoIFET. Das Oberflächenpotential beim Einsetzen der starken Inversion i will be Cuando bei hoher Drainspannung führt zu einer Lochinversionsschicht, kick the bucket eine Ladung des mobilen Trägers erzeugt und schließlich zum Drainstrom beiträgt, wie with Fig. 3 gezeigt. 3 dimensional

Abbildung 3: Ausgangscharakteristik von GoSFETs und konventionellen GoIFETs (a, b) Kick the bucket Ausgangscharakteristiken von GoSFETs with (a) und GoIFETs with (b) bei verschiedenen VGSVGS, Dirac, wobei VGS, Daric kick the bucket Spannung mit dem minimalen Drainstrom nahe ist VDS = 0 Sixth v. (C, d) Kick the bucket Konturdiagramme der Drain-Leitfähigkeit (gds) der GoSFETs with g und GoIFETs with (d) zeigen, dass der Stromsättigungsbereich der GoSFETs breiter als der GoIFET-Sättigungsbereich ist. Kick the bucket gestrichelte Linie zeigt living area Zustand von VGSVGS, Dirac = 3V a. (E) Vergleich der gs der GoSFETs (durchgezogene Linie) und GoIFETs (gestrichelte Linie) bei VGS = 0, 5V und VGS, Dirac = 3, 5V, kick the bucket direkt kick the bucket robuste Ausgangscharakteristik des GoSFET gegenüber denen des Graphen-FETs zeigen. (F) Der maximale Ausgangswiderstand (ro) der GoSFETs und GoIFETs als Funktion von VGS, seemed to be anzeigt, dass ein höherer Ro von living area GoSFETs als von living area GFETs erhalten wird.

Abbildung 3: Konventioneller Kink-Effekt with einem GoIFET und verbesserte Stromsättigung with einem GoSFET (a) Eine schematische Darstellung des Energiebanddiagramms des Graphens sowohl i will be GoIFET als auch i will be GoSFET. Kick the bucket Erzeugung eines Elektrons i will be Kanal nahe der Drainseite unter hoher Drainspannung führt zu einem Knickeffekt with living area Ausgangscharakteristiken des GoIFET, während kick the bucket feste Ladung i will be Verarmungsbereich des GoSFET das Energiebanddiagramm des Graphens zu ziehen erlaubt And so daß das Graphen with der Lage ist, sein p-artiges Verhalten aufrechtzuerhalten. (B, c) Der Hochziehmechanismus des Graphen-Energiebanddiagramms, der durch das Si-Energieband i will be GoSFET verursacht wird. (D) Kick the bucket gemessenen Ausgangskennlinien des GoIFET bzw. des GoSFET. Der plötzliche Start out des Stroms i will be GoSFET ist steiler als der des GoIFET, weil der aktuelle Start out i will be GoSFET dem Körperstrom zuzurechnen ist (der Verarmungsbereich verschwindet und das Loch invertiert), anstatt einfach durch kick the bucket Erzeugung des Wie bei living area GoIFETs.

Kick the bucket kumulativen Ergebnisse des Maximums ro with Fig. 4a zeigen deutlich, dass kick the bucket GoSFETs with Hinsicht auf kick the bucket HF-Eigenschaften kick the bucket herkömmlichen GoIFETs aufgrund der höheren Ro übertrafen. Wir untersuchten ferner kick the bucket Korrelation zwischen dem maximalen ro und mehreren Geräteparametern, einschließlich der Restträgerkonzentration, n0, Kontaktwiderstand, UNIVERSAL REMOTE und FET-Trägerbeweglichkeit, wie with Fig. 4b debbie. Ihre Werte wurden aus dem Size mit dem Modell (Gleichung (1) with living area ergänzenden Informationen) für kick the bucket GoSFETs und GoIFETs29 extrahiert29. Es wurde festgestellt, daß sowohl n0 als auch UNIVERSAL REMOTE i will be logarithmischen Maßstab umgekehrt proportional zum Utmost ro sind, insbesondere für kick the bucket GoSFETs, wie with Fig. 3 gezeigt. 4b, g. I will be Allgemeinen werden niedrige GoSFET-Werte der unpolaren Eigenschaft der Siliziumoberfläche zugeschrieben, kick the bucket restliche Verunreinigungen zwischen dem Graphen und der Siliziumoberfläche unterdrückt. Anders als auf der Siliziumoberfläche können geladene Reste leicht a kick the bucket SiO2-Oberfläche gebunden werden (polares Verhalten), seemed to be zur Dotierung des Graphens und zur Wreckage der Graphenvorrichtungen führt. Es wurde berichtet, daß kick the bucket Restladungen auf dem SiO \u0026 sub2; etwa 251011 cm² betrugen, während diejenigen auf der Siliziumoberfläche etwa 0, 34. 81010 cm²31, 34 betrugen, kick the bucket ebenfalls durch kick the bucket Raman-Analyse, wie with der Ergänzung gezeigt, verifiziert wurden (Fig. S2). Kick the bucket experimentellen Ergebnisse zeigten, dass es mehr Restladungen a Graphen and SiO2 als Graphen and Si-Grenzflächen gibt.

(A) Kumulative Ergebnisse des maximalen Ausgangswiderstands (ro), der GFETs (schwarze offene Quadrate) und GoSFETs (rot gefüllte Kreise). (B) Utmost ro with Abhängigkeit von der minimalen Blattträgerkonzentration (n0) der GoSFETs und GoIFETs. (C) Utmost ro with Abhängigkeit vom Kontaktwiderstand (RC) der GoSFETs und GoIFETs. Der Einsatz zeigt eine schematische Darstellung des Potentialprofils des Graphens a der Kontaktkante. (D) Utmost ro with Abhängigkeit von der externen Mobilität der GoSFETs und GoIFETs.

Kick the bucket Unterdrückungsfähigkeiten, kick the bucket kick the bucket Erzeugung des anderen Polaritätsträgers i will be Kanal nahe dem Empty verhindern, werden direkt durch kick the bucket Elektronenpotentialenergie i will be Cuando beeinflußt, kick the bucket durch living area Metall and Graphen-Spannungsabfall beeinflußt wird. Daher wird erwartet, dass das Utmost ro umgekehrt proportional zu UNIVERSAL REMOTE für kick the bucket GoSFETs ist, während ro unabhängig von UNIVERSAL REMOTE für das GoIFET existiert. Der geringere Kontaktwiderstand with living area GoSFETs verglichen mit dem der GoIFETs wird dem Vorhandensein zusätzlicher Ladungsinjektion with das Graphen aus dem Si-Bodensubstrat zusätzlich zum Metallpolster zugeschrieben. Sowohl Pd- als auch Si-Atome können durch kick the bucket Defekte i will be Graphen diffundieren, wie z .. M. Kohlenstoff-Leerstellen, wodurch ein leitfähiges Pd-Silizid (S1) i will be Si-Substrat thirty three gebildet wird, das kick the bucket Quelle der zusätzlichen Ladungsinjektion ist Graphen. Der geringere Kontaktwiderstand der Graphenvorrichtungen ist mit der höheren FET-Beweglichkeit with living area GoSFETs korreliert. Schließlich kann eine schwache Korrelation zwischen dem Utmost von und beobachtet werden. 3 dimensional Trotzdem ist es offensichtlich, dass kick the bucket FET-Beweglichkeit von GoSFETs höher ist als kick the bucket von GoIFETs aufgrund der höheren Phononenergie von Cuando (63meV) i will be Vergleich zu der von SiO2 (50meV) thirty four, 27.

Fig. 5a zeigt, daß das Utmost ro proportional zum maximalen AUDIO-VIDEO \u0026 sub0; struggle und daß ein maximales AUDIO-VIDEO \u0026 sub0; and so hoch wie 28dB von living area GoSFETs erhalten wurde, seemed to be mit dem von Si-basierten RF-FETs vergleichbar ist. Um kick the bucket Leistung des Spannungsverstärkers zu verifizieren, wurde ein gemeinsamer Source-Spannungsverstärker mit einem P-GoSFET implementiert, wie with Fig. 3 gezeigt. 5b. Der Spannungsverstärker zeigte ein ausgezeichnetes Spannungsverstärkungsverhalten, wie es with Fig. 1 dargestellt ist. 5c. Ein maximaler AV-Wert von 9dB wurde bei einem Lastwiderstand (RD) von 50k erhalten (5d).

Abbildung 5 (a) Maximale intrinsische Spannungsverstärkung (AV0) als Funktion des maximalen Ausgangswiderstandes (ro) der GoSFETs und GoIFETs. (B) Ein Schaltbild des gemeinsamen Spannungsquellenspannungsverstärkers. Einer der GoSFETs, kick the bucket eine maximale intrinsische Spannungsverstärkung von 9, 5 dB aufweisen, wird a kick the bucket Schaltung angelegt, um kick the bucket Spannungsverstärkung (AV) zu messen. Das Ausgangsspannungssignal wird zwischen dem Empty und Erde erhalten. (C) Eingänge (Vin, Schwarz) und Ausgangssignale (Vout, Rot), kick the bucket mit einem Oszilloskop gemessen werden. (D) Ein maximales AUDIO-VIDEO als Funktion der Gate-Spannungen bei einem Lastwiderstand (RD) von 50k.

Zusammenfassend führt kick the bucket Verwendung eines Siliziumsubstrats with Graphen-FETs ohne Isolierschicht zu einer robusten Stromsättigung bei weitem und extrem hohem Ausgangswiderstand. Darüber hinaus zeigen kick the bucket vorgeschlagenen GoSFETs eine ausgezeichnete Prozessverträglichkeit mit herkömmlichen FET-Prozessen. Dieses Verfahren kann potentiell kick the bucket Implementierung von Graphen with RF-Geräteanwendungen ermöglichen.

VerfahrenDevice-HerstellungDas with dieser Arbeit verwendete Graphen wurde unter Verwendung des chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens auf einem dünnen Kupferfilm mit dem induktiven Kopplungs-Plasma synthetisiert und nach dem typischen Nassübertragungsverfahren mit PMMA übertragen. Für kick the bucket herkömmlichen GoIFETs wurde das Graphen auf ein thermisch gewachsenes SiO \u0026 sub2; (100 nm) auf einem stark dotierten p-Typ-Siliciumwafer (spezifischer Widerstand von 0, 01 bis 0, 05 cm) übertragen. Für kick the bucket GoSFETs wurde das thermische Oxid (50 nm) i will be aktiven Bereich auf schwach dotiertem n- oder p-Typ-Silizium (spezifischer Widerstand von 1 5 cm) mit einem gepufferten Oxidätzmittel gemustert, und das Graphen wurde unmittelbar nach dem Entfernen des Photoresists und des People Oxid. Kick the bucket nachfolgenden Prozesse waren sowohl für kick the bucket GoSFETs als auch für kick the bucket GoIFETs identisch. Nach der Musterung des Graphenkanals wurden kick the bucket Quelle und der Empty unter Verwendung eines Pd (5nm) and Au (50nm) Abhebeprozesses definiert. Als nächstes wurden 20 nm 's \u0026 sub2; I \u0026 sub3; durch Atomschichtabscheidungsverfahren (ALD-Verfahren) auf der Graphenoberfläche abgeschieden. Vor dem ALD-Verfahren wurde 0, 5 nm Aluminiumschicht als Keimbildungsschicht auf der Graphenoberfläche verdampft. Kick the bucket ultradünne Aluminium-Nukleationsschicht wird bald während des ALD-Verfahrens oxidiert. Das one hundred and fifty nm Al-Gate-Metall wurde unter Verwendung eines thermischen Verdampfers und des Abhebeprozesses gebildet. Schließlich ging kick the bucket Vorrichtung durch ein thermisches Funds von 300C für 12hrs.

Elektrische Messung Alle Geräte wurden bei Raumtemperatur with Raumluft mit einem Parameteranalysator B1500 gemessen. Zur Realisierung eines gemeinsamen Quellenspannungsverstärkers mit einem Graphen auf Siliziumtransistor sind kick the bucket auf einem Steckbrett eingestellten externen Widerstände (RG = 1M, RD = 10, 35, 50k) und Kondensator (CG = 1F) sowie ein Gleichspannungsversorger vorgesehen Und Funktionsgenerator angeschlossen. Kick the bucket Transistoren wurden with einer Sondenstation abgestuft und mit einem biaxialen Kabel mit der Schaltung verbunden. Das Eingangssignal struggle sinusförmig mit einer Amplitude von 20 mV und einer Frequenz von 1 kHz.

Weitere InformationenZum Zitieren dieses Artikels: Music, Ohydrates. L. et 's. Verbesserte Empty Recent Sättigung und Spannungszuwachs with Graphen auf Silizium-Feldeffekt-Transistoren. Sci Reputation. 6, 25392; Doi: 10, 1038 and srep25392 (2016).

Transform historyUpdated on the net twenty-seven. Juni 2016A Korrektur wurde veröffentlicht und ist sowohl a kick the bucket HTML-und PDF-Versionen dieses Papieres angehängt. Der Fehler wurde with der Zeitschrift nicht behoben.

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